更新時(shí)間:2024-11-03
高精度-品牌介質(zhì)損耗測(cè)試儀通過測(cè)量電路分別測(cè)得標(biāo)準(zhǔn)回路電流與被試回路電流幅值及其相位差,再由數(shù)字信號(hào)處理器運(yùn)用數(shù)字化實(shí)時(shí)采集方法,通過矢量運(yùn)算得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值
品牌介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作原理
在交流電壓作用下,電介質(zhì)要消耗部分電能,這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上施加交流電壓時(shí),電介質(zhì)中的電壓和電流間成在相角差ψ,ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角,δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測(cè)量線路包括一標(biāo)準(zhǔn)回路(Cn)和一被試回路(Cx),如圖2—1所示。標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與測(cè)量線路組成,被試回路由被試品和測(cè)量線路組成。測(cè)量線路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器組成。高精度-品牌介質(zhì)損耗測(cè)試儀通過測(cè)量電路分別測(cè)得標(biāo)準(zhǔn)回路電流與被試回路電流幅值及其相位差,再由數(shù)字信號(hào)處理器運(yùn)用數(shù)字化實(shí)時(shí)采集方法,通過矢量運(yùn)算得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。儀器內(nèi)部已經(jīng)采用了抗干擾措施,保證在外電場(chǎng)干擾下準(zhǔn)確測(cè)量。
主要技術(shù)參數(shù)
1 | 使用條件 | -15℃∽40℃ | RH<80% | ||
2 | 抗干擾原理 | 變頻法 | |||
3 | 電 源 | AC 220V±10% | 允許發(fā)電機(jī) | ||
4 | 高壓輸出 | 0.5KV∽10KV | 每隔0.1kV | ||
精 度 | 2% | ||||
大電流 | 200mA | ||||
容 量 | 2000VA | ||||
5 | 自激電源 | AC 0V∽50V/15A | 50HZ、60HZ單頻 45HZ/55HZ 47.5HZ/52.5HZ 55HZ/65HZ 57.5HZ/62.5HZ 自動(dòng)雙變頻 | ||
6 | 分 辨 率 | tgδ: 0.001% | Cx: 0.001pF | ||
7 | 精 度 | △tgδ:±(讀數(shù)*1.0%+0.040%) | |||
△C x :±(讀數(shù)*1.0%+1.00PF) | |||||
8 | 測(cè)量范圍 | tgδ | 無限制 | ||
C x | 15pF < Cx < 300nF | ||||
| 10KV | Cx < 40 nF | |||
| 5KV | Cx < 150 nF | |||
| 1KV | Cx < 300 nF | |||
CVT測(cè)試 | Cx < 300 nF | ||||
9 | 外型尺寸(主機(jī))(mm) | 350(L)×270(W)×270(H) | |||
外型尺寸(附件箱)(mm) | 350(L)×270(W)×160(H) | ||||
10 | 存儲(chǔ)器大小 | 200 組 支持U盤數(shù)據(jù)存儲(chǔ) | |||
11 | 重量(主機(jī)) | 22.75Kg | |||
重量(附件箱) | 5.25Kg |
高精度-品牌介質(zhì)損耗測(cè)試儀使用注意事項(xiàng)
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